Какие диоды используют для генерации электрических колебаний
Перейти к содержимому

Какие диоды используют для генерации электрических колебаний

  • автор:

Диод Ганна

Диод Ганна принято рассматривать как один из видов диода, несмотря на то, что он фактически не имеет типичного для диода pn-перехода. Его еще называют прибором с объемной неустойчивостью.

Диод Ганна имеет отрицательное дифференциальное сопротивление и поэтому его часто применяют в качестве генератора малой мощности для формирования микроволн. Он состоит из полупроводника N-типа, в котором электроны являются основным носителем заряда. Для генерации коротких радиоволн, таких как сверхвысокие частоты (СВЧ) используют эффект Ганна.

Структура Диода Ганна

Центральная область, показанная на рисунке ниже — это активная область, которая представлена низколегированным слоем арсенида галлия (GaAs). С обеих сторон активной области наращиваются эпитаксиальные слои высоколегированного GaAs (N-типа) с толщиной примерно от 8 до 10 микрометров.

Активная часть зажата между двумя зонами имеющие омические контакты. Это позволяет обеспечить эффективный теплоотвод, помогающий избежать перегрева и преждевременного выхода диода из строя.

Эффект Ганна был открыт Джоном Ганном в 1960-х годах. После его экспериментов на основе GaAs (Арсенид галлия), он обратил внимание на помехи, возникшие в результате этих опытов. Далее он использовал это для генерации электрических колебаний в диапазоне сверхвысоких частот в устойчивом электрическом поле, величиной больше чем пороговое значение.

Этот эффект Ганна можно определить, как генерация СВЧ (частоты порядка нескольких ГГц) возникающая всякий раз, когда напряжение, прикладываемое к полупроводниковому прибору, превышает его критическое пороговое значение.

Характеристика Диода Ганна

На графике ниже показана вольтамперная характеристика диода Ганна в его отрицательной области сопротивления. Эта характеристика похожа на характеристику туннельного диода. Как видно из графика изначально по мере увеличения напряжения на диоде происходит увеличение тока, но после достижения определенного уровня напряжения (порогового значения), ток начинает уменьшаться. Та область, где ток падает, называется область отрицательного сопротивления.

На основе диода Гана СВЧ генератор.

Диод Ганна используются для построения генераторов микроволн с частотами в диапазоне от 10 ГГц до ТГц. Это устройство, имеющее отрицательное дифференциальное сопротивление (NDR -Negative Differential Resistance) – также называемого как прибор переноса электронов — является колебательным контуром, состоящий из диода Ганна и подаваемого на него постоянного напряжения смещения (в области отрицательного сопротивления).

Благодаря этому, суммарное дифференциальное сопротивление цепи становится равным нулю, так как отрицательное сопротивление диода сокращается при положительном сопротивлении цепи, что приводит к возникновению колебаний.

Принцип Работы.

Этот диод сделан из цельного куска полупроводника N-типа, такого как Арсенид Галлия (GaAs) или Фосфид Индия (InP). Диод Ганна состоит из трех энергетических областей, и эта дополнительная третья область на начальном этапе пуста.

Электроны из зоны проводимости, имеющие ничтожно малое удельное электрическое сопротивление, перемещаются в третью область, поскольку они рассеиваются от приложенного к диоду напряжения. Третья область из GaAs имеет подвижность, которая меньше, чем в зоне проводимости.

Из-за увеличения прямого напряжения увеличивается напряженность поля (приложенное напряжение превышает пороговое значение напряжения), вследствие чего электроны достигают состояния, при котором их эффективная масса увеличивается, а скорость уменьшается, что приводит в конечном итоге к снижению тока.

Следовательно, если напряженность поля увеличивается, то скорость дрейфа будет уменьшаться, при этом создается отрицательное добавочное сопротивление в VI зоне. Таким образом, увеличение напряжения увеличит сопротивление, путем возникновения на катоде так называемого домена сильного поля, который движется и достигает анода.

При достижении анода, домен разрушается, и ток вновь возрастает. При поддержании постоянного значения напряжения, на катоде вновь будет возникать новый домен и все повторится вновь. Частота повторения этого процесса связана с толщиной слоя полупроводника (GaAs), и чем больше его толщина, тем меньше частота повторений.

К преимуществам диодов Ганна можно отнести:

  • Они являются самым дешевым источником микроволн (по сравнению с другими вариантами, такими как клистронные трубки)
  • Они компактны по размеру
  • Они работают в широкой полосе частот и обладают высокой частотной стабильностью

К недостаткам диодов Ганна можно отнести:

  • У них высокое напряжение включения
  • Они менее эффективны ниже 10 ГГц
  • Они обладают плохой температурной стабильностью

Генерации электронно

A. С. Поповым в 1895 г. Один из первых значительных шагов на пути развития электроники сделал американский изобретатель Л. де Форест, предложивший в 1906 г. первый усилительный электронный элемент — ламповый триод. В 1920 г. О. В. Лосевым был впервые использован полупроводниковый элемент для получения усиления и генерации электрических сигналов. Примерно со времени этого последнего события происходит постепенное нарастание интереса к твердотельной электронике, и хотя практическая радиоэлектроника остается «чисто ламповой», все больше выполняется интересных исследований по физике полупроводников и полупроводниковых элементов, среди которых одно из ведущих мест занимают работы А. Ф. Иоффе и его учеников. Из работ этого периода развития электроники следует выделить статью немецкого физика

транзисторами называют полупроводниковые приборы с п-р-пере-хддами, предназначенные для усиления или генерации электрических сигналов и имеющие три или более выводов.

Автогенераторами называются устройства для генерации электрических колебаний требуемой формы, частоты и мощности за счет использования энергии источников питания. Они находят широкое применение в радиопередающих, радиоприемных и телевизионных устройствах, в измерительной технике, в системах многоканальной связи и др.

Какие диоды используют для генерации электрических колебаний?

Для генерации электрических колебаний диоды не используются

Какие диоды используют для генерации электрических колебаний?

Для генерации электрических колебаний диоды не используются

Какие диоды используют для генерации электрических колебаний?

Для линейного усиления входного сигнала без каких-либо функциональных преобразований используют инвертирующее и неинвертирующее включение операционного усилителя. Традиционными областями применения ОУ являются решающая аналоговая техника, аппаратура обработки сигналов, радиоизмерительная техника, где часто требуется решение уравнений при замыкании выхода усилителя на инвертирующий вход с помощью пассивных цепей отрицательной обратной связи. Интегральные операционные усилители находят применение также в схемах, выполняющих функции генерации электрических колебаний различных формы и частоты, а также преобразования электрических сигналов.

Таким образом, для продвижения вверх по частотному диапазону наряду с совершенствованием различных полупроводниковых СВЧ-приборов (генераторов Ганна, лавинно-пролетных диодов, биполярных и полевых транзисторов) необходимо изыскание новых принципов усиления и генерации электрических колебаний. Увеличение быстродействия выпрямительных диодов (особенно мощных, что очень важно) может быть достигнуто путем использования гетеропереходов и выпрямляющих электрических переходов между металлом и полупроводником, т. е. структур без инжекции неосновных носителей заряда в базу диода. При этом можно исключить относительно медленный процесс накопления неосновных носителей и соответственно процесс рассасывания этих носителей.

Наличие отрицательного сопротивления позволяет использовать туннельный диод для генерации электрических колебаний, а также в переключающих схемах. Напряжение переключения, снимаемое с диода, определяется разностью ?/н—Um&x, где Ua, ?/max — напряжения на диоде при токе /max, соответствующие диффузионной и туннельной ветви характеристики.

Особенности реальной ВАХ диода. Обратный ток реальных диодов существенно превышает ток /0, определяемый выражением (2.76), которое получено без учета г е -нерацио нно-рекомб и национн ых процессов в переходе. Такое допущение оправдано только в случае очень тонких переходов, которые на практике встречаются редко. Составляющую обратного тока, обусловленную процессом генерации электронно-дырочных пар в переходе, называют током термогенерации. Ток термогенерации можно определить из следующих соображений.

где An, Др — избыточные концентрации носителей заряда; т — объемное время жизни неравновесных носителей заряда; g — скорость генерации электронно-дырочных пар.

Качественно это можно пояснить так. Если образец тонок, то градиент концентрации носителей заряда зависит в основном от условий рекомбинации на неосвещенной поверхности и мало зависит от рекомбинации в объеме. Скорость поверхностной рекомбинации на освещенной поверхности образца влияет лишь на скорость генерации электронно-дырочных пар и не изменяет фотомагнитную ЭДС при высоком уровне возбуждения. Это справедливо лишь при строго поверхностной генерации носителей заряда, т. е. когда коэффициент поглощения очень велик. По мере уменьшения коэффициента поглощения увеличивается глубина проникновения •света в образец, уменьшается градиент концентрации носителей заряда, а следовательно, и магнитодиффузионный ток. При малом коэффициенте поглощения градиент концентрации может даже изменить свое направление, если интенсивность рекомбинации на освещенной поверхности будет больше, чем на неосвещенной. В этом

Электронную и дырочную составляющие тока эмиттера можно вычислить из решения соответствующих уравнений непрерывности. Если предположить, что в области объемного заряда эмит-терного перехода скорости рекомбинации и генерации электронно-дырочных пар малы и не учитывать влияния внутренних статических полей в базовой и эмиттерной областях, то электронная

Радиоактивные излучения, проходя через материал, вызывают ионизацию и возбуждение электронов и приводят к образованию электронно-дырочных пар свободных ионов и электронов в результате разрыва межатомных связей и выбивания электронов с электронных оболочек. Одновременно с процессом генерации электронно-дырочных пар происходит их рекомбинация и при постоянной дозе облучения может наблюдаться равновесное состояние.

В определенных условиях (см. § 1.9) у поверхности может существовать обедненный слой, в котором концентрация носителей обоих знаков мала по сравнению с концентрацией основных носителей в глубине. Тогда скорость поверхностной генерации электронно-дырочных пар равна п,г’ПОв. Это выражение является аналогом скорости объемной генерации в обедненном слое p-n-перехода, равной п,/т, где т — время жизни носителей в переходе (см. § 2.5).

Для МДП-структуры с истоком ( 2.25, б) при напряжении истока С/и=0 пороговое напряжение определяется той же формулой (2.26). Основное отличие двух структур ( 2.25) связано с различными значениями времени ^инв образования инверсных слоев. В структуре без истока электроны, накапливающиеся в инверсном слое после скачкообразного повышения напряжения затвора от нуля до t/3>f/nop, возникают вследствие тепловой генерации электронно-дырочных пар в обедненном слое, который образуется практически мгновенно (за время диэлектрической релаксации). Генерируемые дырки уносятся электрическим полем вглубь подложки за пределы обедненного слоя, а электроны — в инверсный слой. Важную роль может играть также тепловая генерация носителей на поверхности, богатой различными дефектами — центрами генерации. Ток тепловой генерации электронов обычно очень мал, поэтому формирование инверсного слоя в структуре без истока — процесс медленный (его длительность составляет от 1 мс до 10 с).

Увеличение при облучении доли антипараллельной компоненты флуктуации потенциала может быть обусловлено следующими причинами. При фотостимулированной генерации электронно-дырочной пары, происходящей, по-видимому, в одном структурном узле, происходит локальное статическое искажение решетки вблизи возникших электрона и дырки. Эти искажения препятствуют рекомбинации вновь образовавшейся электронно-дырочной пары и приводят к локальному повышению потолка валентной зоны и снижению дна зоны проводимости, что, согласно данным 2.2.4, соответствует случаю антипараллельных флуктуации потенциала. Так как в аморфных полупроводниках процесс формирования структурной сетки совершенно случаен, то возникшие статические искажения могут стабилизироваться и существовать даже после рекомбинации возникшей электронно-дырочной пары [70]. Наряду с этим «прямым» процессом усиления антипараллельной компоненты .флуктуации потенциала в материале равноправно протекает и «обратный» процесс, заключающийся в медленном изменении метастабильных антипараллельных флуктуации и в постепенном формировании параллельных флуктуации при непрерывном освещении образца.

бине) генерации электронно-дырочных пар в полупроводниковых материалах, имеющих заметное отличие в подвижностях электронов и дырок (fin и fip). Например, в арсениде галлия и прямозонных твердых растворах Al3.Ga1_rAs (x

Какие диоды используют для генерации электрических колебаний

люди куплю транзистар кт 827А 0688759652

тамара плохова пишет в теме Журнал Радио 9 номер 1971 год. :

как молоды мы были и как быстро пробежали годы кулотино самое счастливое мое время

Ивашка пишет в теме Параметры отечественных излучающих диодов ИК диапазона:

Светодиод — это диод который излучает свет. А если диод имеет ИК излучение, то это ИК диод, а не «ИК светодиод» и «Светодиод инфракрасный», как указано на сайте.

Владимир пишет в теме 2Т963А-2 (RUS) со склада в Москве. Транзистор биполярный отечественный:

Подскажите 2т963а-2 гарантийный срок

Владимир II пишет. пишет в теме Параметры биполярных транзисторов серии КТ372:

Твердотельная электроника. Учебное пособие.

  • Начало
    • Главная страница
    • Подробное оглавление
    • Предисловие
    • Перечень глав
    • Основные обозначения
    • Обозначения приборных параметров
    • Приложение
    • Литература
    • Примерные экзаменационные вопросы
    • Ссылки
    • Авторы
    • Глава 1
      • 1.1. Зонная структура полупроводников
      • 1.2. Терминология и основные понятия
      • 1.3. Статистика электронов и дырок
      • 1.4. Концентрация электронов и дырок в.
      • 1.5. Концентрация электронов и дырок в.
      • 1.6. Определение положения уровня Ферми
      • 1.7. Проводимость полупроводников
      • 1.8. Токи в полупроводниках
      • 1.9. Неравновесные носители
      • 1.10. Уравнение непрерывности
      • Глава 2
        • 2.1. Ток термоэлектронной эмиссии
        • 2.2. Термодинамическая работа выхода.
        • 2.3. Эффект поля, зонная диаграмма.
        • 2.4. Концентрация электронов и дырок в ОПЗ
        • 2.5. Дебаевская длина экранирования
        • 2.6. Контакт Me — п/п. Барьер Шоттки
        • 2.7. Зонная диаграмма барьера Шоттки.
        • 2.8. Распределение электрического поля и.
        • 2.9. ВАХ барьера Шоттки
        • 2.10. Образование и зонная диаграмма.
        • 2.11. Компоненты тока и квазиуровни Ферми.
        • 2.12. ВАХ р-n перехода
        • 2.13. Гетеропереходы
        • Глава 3
          • 3.1. ОПЗ в равновесных условиях
          • 3.2. Заряд в ОПЗ
          • 3.3. Емкость ОПЗ
          • 3.4. Влияние вырождения на характеристики.
          • 3.5. Поверхностные состояния
          • 3.6. ВФХ структур МДП
          • 3.7. Флуктуации поверхностного потенциала.
          • Глава 4
            • 4.1. Характеристики идеального диода.
            • 4.2. Варикапы
            • 4.3. Влияние генерации, рекомбинации.
            • 4.4. Стабилитроны
            • 4.5. Туннельный и обращенный диоды
            • 4.6. Переходные процессы в п/п диодах
            • Глава 5
              • 5.1. Общие сведения. История вопроса
              • 5.2. Основные физические процессы в БТ
              • 5.3. Формулы Молла — Эберса
              • 5.4. ВАХ БТ в активном режиме
              • 5.5. Дифференциальные параметры БТ в.
              • 5.6. Коэффициент инжекции
              • 5.7. Коэффициент переноса.
              • 5.8. Дифференциальное сопротивление.
              • 5.9. Дифференциальное сопротивление.
              • 5.10. Коэффициент обратной связи
              • 5.11. Объемное сопротивление базы
              • 5.12. Тепловой ток коллектора
              • 5.13. Биполярный транзистор в схеме с ОЭ
              • 5.14. Эквивалентная схема БТ
              • 5.15. Составные транзисторы. Схема.
              • 5.16. Дрейфовые транзисторы
              • 5.17. Параметры транзистора как.
              • 5.18. Частотные и импульсные свойства.
              • Глава 6
                • 6.1. Характеристики МОП ПТ в области.
                • 6.2. Характеристики МОП ПТ в области.
                • 6.3. Эффект смещения подложки
                • 6.4. Малосигнальные параметры
                • 6.5. Эквивалентная схема и быстродействие.
                • 6.6. Методы определения параметров МОП ПТ.
                • 6.7. Подпороговые характеристики.
                • 6.8. Учет диффузионного тока в канале
                • 6.9. Неравновесное уравнение Пуассона
                • 6.10. Уравнение электронейтральности.
                • 6.11. ВАХ МДП-транзистора в области.
                • 6.12. МДП-транзистор как элемент памяти
                • 6.13. МНОП-транзистор
                • 6.14. МОП ПТ с плавающим затвором
                • 6.15. Приборы с зарядовой связью
                • 6.16. Полевой транзистор с затвором в виде.
                • 6.17. Микроминиатюризация МДП-приборов
                • 6.18. Физические явления, ограничивающие.
                • 6.19. Размерные эффекты в МДП-транзисторах
                • Глава 7
                  • 7.1. Общие сведения
                  • 7.2. ВАХ тиристора
                  • 7.3. ВАХ динистора
                  • 7.4. Зонная диаграмма и токи.
                  • 7.5. Зависимость коэффициента передачи.
                  • 7.6. Зависимость коэффициента М от.
                  • 7.7. Тринистор
                  • 7.8. ВАХ тринистора
                  • Глава 8
                    • 8.1. Общие сведения
                    • 8.2. Требования к зонной структуре.
                    • 8.3. Статическая ВАХ арсенида галлия
                    • 8.4. Зарядовые неустойчивости в приборах.
                    • 8.5. Генерация СВЧ-колебаний в диодах Ганна
                    • Глава 9
                      • 9.1. Условные обозначения и классификация.
                      • 9.2. Условные обозначения и классификация.
                      • 9.3. Графические обозначения и стандарты
                      • 9.4. Условные обозначения электрических.

                      8.5. Генерация СВЧ-колебаний в диодах Ганна

                      Как любой генератор СВЧ-диапазона, генератор Ганна характеризуется генерируемой мощностью, длиной волны или частотой генерируемых колебаний, коэффициентом полезного действия, уровнем шумов и другими параметрами.

                      Выходная непрерывная мощность генераторов Ганна в пролётном режиме обычно составляет десятки – сотни милливатт, а при импульсной работе достигает сотен ватт.

                      Рабочая частота в пролётном режиме обратно пропорциональна длине или толщине высокоомной части кристалла (f = v/l). Связь между генерируемой мощностью и частотой можно представить в виде . Мощность генерируемых СВЧ-колебаний зависит от полного сопротивления z или от площади рабочей части высокоомного слоя полупроводника. Приведённое соотношение указывает на то, что ожидаемое изменение мощности с частотой пропорционально 1/f 2 .

                      Верхний предел рабочей частоты диодов Ганна составляет примерно 150 ГГц. Генераторы Ганна из арсенида галлия могут генерировать СВЧ-колебания от 1 до 50 ГГц. Несколько бОльшие частоты получены на генераторах Ганна из фосфида индия в связи с бОльшими значениями максимальных скоростей электронов, но качество приборов из этого материала значительно ниже из-за недостаточной отработки технологии изготовления материала. Преимущество фосфида индия перед арсенидом галлия — большее значение пороговой напряжённости электрического поля (10,5 и 3,2 кВ/см соответственно). Это должно позволить создать генератор Ганна с бОльшей выходной мощностью. Для создания бОльших частот генерируемых колебаний представляют интерес тройные соединения GaInSb, т.к. в них велики дрейфовые скорости электронов.

                      Рис. 8.10. Примеры характеристик диодов Ганна [33, 35]

                      Эффект Ганна наблюдается помимо GaAs и InP также в электронных полупроводниках CdTe, ZnS, InSb, InAs и др., а также в Ge с дырочной проводимостью.

                      Коэффициент полезного действия генераторов Ганна может быть различным (от 1 до 30%), так как существенно отличаются технологии изготовления приборов и качество исходного полупроводникового материала.

                      В связи с возможным наличием в кристалле генератора Ганна нескольких неоднородностей зарождение домена может происходить в различные моменты времени на разном расстоянии от анода. Поэтому частота колебаний будет изменяться, т.е. могут возникать частотные шумы. Кроме частотных шумов в генераторах Ганна существуют амплитудные шумы, основной причиной которых являются флуктуации в скоростях движения электронов. Обычно амплитудные шумы в генераторах Ганна малы, так как дрейфовая скорость в сильных электрических полях, существующих в этих приборах, насыщена и слабо изменяется при изменении электрического поля.

                      Важным для практического применения генераторов Ганна является вопрос о возможности их частотной перестройки в достаточно широком диапазоне. Из принципа действия генератора Ганна ясно, что частота его должна слабо зависеть от приложенного напряжения. С увеличением приложенного напряжения несколько возрастает толщина домена, а скорость его движения изменяется незначительно. В результате при изменении напряжения от порогового до пробивного частота колебаний увеличивается всего на десятые доли процента.

                      Срок службы генераторов Ганна относительно мал, что связано с одновременным воздействием на кристалл полупроводника таких факторов, как сильное электрическое поле и перегрев кристалла из-за выделяющейся в нём мощности.

                      Диоды Ганна: устройство, схема, обозначение, принцип работы, применение

                      Диод Ганна

                      Эти радиокомпоненты диодами называются только из-за конструктивного сходства с полупроводниковыми электрическими вентилями. Они так же оснащаются двумя выводами, то есть катодом и анодом, но в конструкции отсутствует p-n-переход, и выпрямляющими свойствами диоды Ганна не обладают. Их функция состоит в другом. Элементы используются для генерации сверхвысокочастотных электрических колебаний (СВЧ).

                      Имя собственное эти радиокомпоненты получили по фамилии первооткрывателя квантового эффекта, лежащего в основе функциональности этих генераторов СВЧ. Британский физик Джон Ганн в начале 60-х годов XX века обнаружил, что кристалл арсенида галлия начинает испускать электромагнитные волны частотой более 10 ГГц при воздействии на него электрического поля с напряжённостью, превышающей некое пороговое значение. Этот процесс вошёл в научную терминологию под названием эффекта Ганна.

                      Физическая основа

                      Диод Ганна

                      Справедливости ради следует заметить, что Джон Ганн, открывший свой знаменитый эффект, не объяснил его физические принципы. Он лишь адаптировал его результаты для практической электроники, разработав конструкцию своего знаменитого диода. Физические принципы генерации СВЧ-колебаний арсенидом галлия объяснил с точки зрения квантовой механики другой учёный – американец Г. Крёмер.

                      Он установил, что при воздействии на кристалл арсенида галлия электрического поля высокой напряжённости в его структуре возникают так называемые домены сильного поля – своеобразные сгустки электронов, движущиеся от катода к аноду. Как и любое движение носителей заряда, это перемещение домена является током в самом обычном смысле этого слова. При достижении доменом анода ток прекращается.

                      Эффект Ганна состоит в том, что сразу же после исчезновения первого домена в области катода образуется следующий. Как только исчезнет он, на смену ему придёт третий, потом четвёртый и так далее – до тех пор, пока не будет снято приложенное электрическое поле. Таким образом, на аноде диода Ганна возникает последовательность импульсов.

                      Из-за того, что длительность переходных процессов составляет крайне малые величины – порядка наносекунд – частота этого импульсного сигнала измеряется в десятках гигагерц. Такие радиосигналы используются в передатчиках, приёмниках и прочем радиотехническом оборудовании, работающем в режиме СВЧ.

                      Единственное «слабое место» диодов Ганна заключается в их низковольтном характере эксплуатации. Напряжение, вырабатываемое этими радиокомпонентами, колеблется на уровне единиц микровольт и даже дробных долей. В связи с этим при использовании диодов Ганна в принципиальную схему вводятся усилители СВЧ-сигнала. Это усложняет конечное устройство, но на эти жертвы конструкторы всё равно идут, если к технике предъявляются повышенные требования в отношении стабильности частоты. По данному параметру диоды с эффектом Ганна – вне конкуренции. В этом с ними не могут спорить стандартные волноводные СВЧ-генераторы.

                      Генератор на диоде Ганна

                      Типовой генератор на диоде Ганна состоит из самого диода, подключённого непосредственно к резонатору, и источника питания, который выполняется регулируемым. Благодаря регулировке питающего напряжения генератор может вырабатывать сигнал в одном из следующих режимов:

                      1. доменный;
                      2. пролётный;
                      3. гашение домена;
                      4. задержка домена.

                      Перечисленные режимы различаются вольтамперными характеристиками, что проявляется в генерации импульсов разной формы. Это используется для выработки радиосигналов с заданными характеристиками и применяется в радиоаппаратуре специального назначения.

                      Производство диодов Ганна

                      Первым материалом для производства диодов Ганна стал упомянутый выше арсенид галлия. Позднее было обнаружено, что схожими свойствами обладает фосфид индия. В первые годы в производстве элементов использовались единые кристаллы, но с развитием молекулярно-атомных технологий диоды Ганна стали изготавливать на основе кристаллических сборок. В них центральная область выполнена из чистого однородного полупроводника, а анодная и катодная зоны, расположенные по сторонам, изготавливаются из материала с глубоким легированием. Такая структура обеспечивает более высокое входное сопротивление, вследствие чего создаются условия для стабильного образования доменов электрического поля.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *